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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SUD50N06-09L-E3

SUD50N06-09L-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 16:53:53 查看 閱讀�23

SUD50N06-09L-E3是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于開(kāi)�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻、高切換速度以及良好的熱�(wěn)定性等特點(diǎn)。其封裝形式為TO-252(DPAK),適合表面貼裝工藝,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及汽車電子等�(lǐng)��
  該型�(hào)屬于STMicroelectronics(意法半�(dǎo)體)的產(chǎn)品線,專門針對(duì)高效能電源管理�(jìn)行了�(yōu)化設(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻:14mΩ
  柵極電荷�38nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=15ns, toff=27ns
  工作�(jié)溫范圍:-55°C�+150°C

特�

SUD50N06-09L-E3具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的�(kāi)�(guān)性能,使其適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
  3. 較高的雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適應(yīng)�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求�
  5. 緊湊的TO-252封裝�(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,便于自�(dòng)化生�(chǎn)�
  6. 良好的熱性能表現(xiàn),確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

這款MOSFET適用于多種電力電子場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流元件�
  2. 直流電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  3. LED照明系統(tǒng)的恒流控制模��
  4. 電池保護(hù)與充電管理系�(tǒng)�
  5. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載切換和逆變器應(yīng)��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化中的繼電器替代方案以及各類功率�(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

SUD50N06LL-E3, STP50NF06L-E3

sud50n06-09l-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sud50n06-09l-e3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

sud50n06-09l-e3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.3 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2650pF @ 25V
  • 功率 - 最�136W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-252,(D-Pak�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SUD50N06-09L-E3-NDSUD50N06-09L-E3TR