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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > WP26DK-P010VA3-R15000

WP26DK-P010VA3-R15000 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 10:30:21 查看 閱讀�26

WP26DK-P010VA3-R15000是一種高性能功率MOSFET器件,采用先�(jìn)的制造工�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器和DC-DC�(zhuǎn)換器等高效率電力電子系統(tǒng)。該芯片以其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度而著稱,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)的整體性能�
  此型�(hào)中的R15000代表了其�(dǎo)通電阻為15mΩ(典型值),適用于高電流應(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)具備出色的熱特性和電氣�(wěn)定��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  電壓等級(jí)�60V
  連續(xù)漏極電流�48A
  �(dǎo)通電阻:15mΩ
  柵極電荷�70nC
  最大工作結(jié)溫:175°C
  封裝形式:TO-247

特�

WP26DK-P010VA3-R15000具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻確保在高電流應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力使其非常適合高頻�(yīng)�,例如開(kāi)�(guān)電源和PWM控制��
  3. 高雪崩能量能力增�(qiáng)了器件在瞬態(tài)條件下的魯棒��
  4. 具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)��
  5. 小巧的封裝設(shè)�(jì)有助于節(jié)省電路板空間,同�(shí)提供高效的散熱性能�

�(yīng)�

該功率MOSFET適用于多種工�(yè)和消�(fèi)類電子領(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器
  4. 太陽(yáng)能逆變�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切�
  7. UPS不間斷電�
  其強(qiáng)大的電流承載能力和高效性能使它成為眾多高功率應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

IRFP2907ZPBF
  IXFN100N06L2
  FDP057AN
  STP100NF06L

wp26dk-p010va3-r15000推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

wp26dk-p010va3-r15000參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�14,160�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �6.04000剪切帶(CT�15,000 : �2.49560卷帶(TR�
  • 系列WP26DK
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 連接器類�插頭,外罩觸�(diǎn)
  • 針位�(shù)10
  • 間距0.014"�0.35mm�
  • 排數(shù)2
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 特�固定焊尾
  • 觸頭表面處理鍍金
  • 觸頭表面處理厚度-
  • 接合堆疊高度0.6mm
  • 板上高度0.019"�0.48mm�