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時(shí)間：2025/5/31 1:32:41
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SI2336DS-T1-GE3 是一款來(lái)自 Vishay 的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 芯片，采用小型化的 SOT-23 封裝。該器件以其低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）和高開關(guān)速度著稱，非常適合用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備及便攜式設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電池保護(hù)等應(yīng)用。
其設(shè)計(jì)優(yōu)化了功耗與效率之間的平衡，并支持高頻開關(guān)操作，從而在空間受限的電路設(shè)計(jì)中提供高效的性能。
型號(hào)：SI2336DS-T1-GE3
Vgs(th)：0.8V 至 2.5V
Rds(on)：45mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 下）
最大漏極電流（Id）：3.9A
最大柵源電壓（Vgs）：±8V
封裝形式：SOT-23
工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
SI2336DS-T1-GE3 的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，能夠有效降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 支持寬范圍的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，兼容多種電源場(chǎng)景。
3. 高度集成的小型化封裝 SOT-23，有助于節(jié)省 PCB 空間。
4. 在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出色，適合嚴(yán)苛的工作條件。
5. 快速開關(guān)能力，適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于組裝生產(chǎn)。
這款芯片被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，例如：
1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的電源管理。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和同步整流電路。
3. 各類負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)電路。
4. 工業(yè)控制及汽車電子系統(tǒng)的輔助電源模塊。
5. 需要高效功率轉(zhuǎn)換的小型化設(shè)計(jì)中。
由于其高性能和小尺寸，SI2336DS-T1-GE3 成為眾多工程師在緊湊型設(shè)計(jì)中的首選方案。
SI2302DS, SI2307DS, BSS138
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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