日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SUD50N06-07L-E3

SUD50N06-07L-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 15:08:10 查看 閱讀�10

SUD50N06-07L-E3 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采� TO-220FP 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,適用于各種功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)用。其額定電壓� 60V,最大電流可�(dá) 50A(在特定條件下)。這種 MOSFET 廣泛用于直流電機(jī)�(qū)�(dòng)、開�(guān)電源、負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,@ Vgs=10V�
  柵極電荷�8nC(典型值)
  開關(guān)�(shí)間:ton=21ns,toff=28ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

SUD50N06-07L-E3 具有低導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。其快速的開關(guān)性能使其適合高頻開關(guān)�(yīng)用。此�,該器件具備良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能。由于采用了 TO-220FP 封裝,它能夠有效散熱,非常適合需要高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)��
  這款 MOSFET 還具有較低的輸入電容和輸出電�,這�(jìn)一步提高了其動(dòng)�(tài)性能。同�(shí),其封裝�(shè)�(jì)便于焊接和安�,簡(jiǎn)化了電路板布局過程�

�(yīng)�

SUD50N06-07L-E3 通常被應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(如 DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器等�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  3. �(fù)載開�(guān)
  4. 電池保護(hù)電路
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模�
  這些�(yīng)用充分利用了� MOSFET 的高效開�(guān)能力和低�(dǎo)通損耗特�(diǎn)�

替代型號(hào)

SUD50N06L-E3, IRF540N, FDP5020

sud50n06-07l-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sud50n06-07l-e3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C96A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.4 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs144nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5800pF @ 25V
  • 功率 - 最�136W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-252,(D-Pak�
  • 包裝帶卷 (TR)