CDR34BP912AKZMAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,基于先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�。該器件主要用于需要高效率和低功耗的�(yīng)用場�,如開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器�。其采用小尺寸封裝技�(shù),具有出色的熱性能和電氣特�,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)��
這款功率MOSFET通過�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,顯著降低了開關(guān)損�,同時具備較低的�(dǎo)通電�,從而提高了整體系統(tǒng)的能效表�(xiàn)。此�,它還支持高頻開�(guān)操作,�(jìn)一步滿足現(xiàn)代電子系�(tǒng)對小型化和高效化的需��
最大漏源電壓:90V
連續(xù)漏極電流�34A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.2mΩ
柵極電荷�65nC
輸入電容�1850pF
總熱阻(�(jié)至環(huán)境)�65°C/W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
CDR34BP912AKZMAT的核心優(yōu)勢在于其超低的導(dǎo)通電阻和高效的開�(guān)性能。這使得該器件能夠在大電流�(yīng)用中保持較低的功耗水�,同時確保了良好的散熱能力�
1. 低導(dǎo)通電阻:僅為1.2mΩ,大幅減少傳�(dǎo)損�,尤其在高電流場景下表現(xiàn)出色�
2. 高效開關(guān):優(yōu)化的柵極�(qū)動設(shè)計減少了開關(guān)時間,�(jìn)而降低動�(tài)損��
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):通過改�(jìn)的封裝結(jié)�(gòu)和材料選�,能夠承受較高的�(jié)�,提升了長期可靠��
4. �(qiáng)大的電流承載能力:支持高�(dá)34A的連續(xù)漏極電流,適合高功率�(yīng)用場��
5. 寬工作溫度范圍:�-55°C�+175°C,適�(yīng)各種極端�(huán)境條件�
CDR34BP912AKZMAT廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)�,提供高效穩(wěn)定的能量傳輸�
2. 電機(jī)�(qū)動:適用于無刷直流電�(jī)(BLDC)控制器,作為功率級元件�(shí)�(xiàn)精確的速度控制�
3. 工業(yè)逆變器:為光伏逆變器或其他電力�(zhuǎn)換系�(tǒng)提供�(guān)鍵的功率處理能力�
4. 汽車電子:例如車載充電器、電動助力轉(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS)以及混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)�
5. LED�(qū)動器:在高亮度LED照明解決方案中用作驅(qū)動開�(guān),確保恒定電流輸出以維持一致的光輸��
CDR34BP912AKZMAJ, CDR34BP912AKZMATR1