FQB13N10L 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� DPAK 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電力電子�(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)��
該器件通過(guò)�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì)和封裝技�(shù),能�?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換,同時(shí)保持較低的功�。此外,它具備良好的熱性能和可靠�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
型號(hào):FQB13N10L
VDS(漏源極擊穿電壓):100V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�200mΩ(典型�,在 VGS=10V �(shí)�
ID(連續(xù)漏極電流):13A
VGS(柵源極電壓):±20V
PD(總功耗)�46W
fSW(最大工作開(kāi)�(guān)頻率):500kHz
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:DPAK(TO-252�
FQB13N10L 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),可有效降低�(dǎo)通損�,提高整體效��
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高�(dá) 500kHz 的開(kāi)�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用�
3. 較高的漏源極擊穿電壓�100V�,確保在較高電壓�(huán)境下安全�(yùn)��
4. �(wěn)定的熱性能,能夠承受較高的�(jié)溫(最高可�(dá) 175°C��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間,同�(shí)提供出色的散熱性能�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
FQB13N10L 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
2. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制元件�
3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)或保�(hù)�(kāi)�(guān)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換和功率控��
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效功率管理模塊�
6. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高性能功率 MOSFET 的場(chǎng)��
FQP13N10, IRF540N, STP13NK06Z