STM32F303VCT6基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC核心,F(xiàn)PU工作頻率高達72 MHz,并嵌入浮點單元(FPU),內(nèi)存保護單�(MPU)和嵌入式跟蹤宏單�(ETM)。STM32F303VCT6集成了高速嵌入式存儲�(高達256kbytes的閃存,高達40kbytes的SRAM)和廣泛的增強型I/ o和外�(shè),連接到兩個APB總線�
STM32F303VCT6提供最�4個快�12位adc (5 Msps)� 7個比較器�4個運算放大器,最�2個DAC通道,一個低功耗RTC,最�5個通用16位定時器,一個通用32位定時器,以及兩個專用于電機控制的定時器。它們還具有標準和高級通信接口:最多兩個i2c,最多三個spi(兩個spi具有多路全雙工i2s),三個usart,最多兩個uart, CAN和USB。為了達到音頻分類的精度,I2S外設(shè)可以通過外部鎖相�(huán)進行計時�
STM32F303VCT6工作�-40�+85°C�-40�+105°C的溫度范圍內(nèi),電源為2.0�3.6 V。一套全面的省電模式允許�(shè)計低功耗應用�
核心:ArmCortex-M4 32位CPU與FPU
(72 MHz最�),單周期乘法�
HW部門�90dmips(來自CCM)� DSP
指令和MPU(�(nèi)存保護單�)
運行條件:
—VDD、VDDA電壓范圍:2.0 V ~ 3.6 V
記憶
—Flash�(nèi)存為128kb ~ 256kb
—最�40kbytes SRAM,支持HW奇偶校驗
在前16kbytes上執(zhí)行檢��
-常規(guī)助推�:開啟8kbytes SRAM
指令和數(shù)�(jù)總線,帶硬件奇偶校驗(CCM)
CRC計算單元
重置和供應管�
-上電/下電復位(POR/PDR)
-可編程電壓檢測器(PVD)
—低功耗模�:休眠、停止和
備用
- VBAT供應RTC和備份寄存器
時鐘管理
- 4�32 MHz晶體振蕩�
- 32 kHz振蕩器的RTC校準
-�(nèi)�8 MHz RC與x 16鎖相�(huán)選項
-�(nèi)�40 kHz振蕩�
最�87個快速I/ o
—所有可映射到外部中斷向�
-幾�5 v耐壓
互連矩�
12通道DMA控制�
四個adc 0.20μS(最�39個通道)�
可選分辨�12/10/8/6��0�3.6 V�(zhuǎn)換范�,單�
�/差分輸入,獨立模擬電源從2�3.6 V
兩�12位DAC通道,模擬電源從2.4�3.6 V
商品分類 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半導�) |
封裝 | LQFP-100_14x14x05P | 包裝 | 托盤 |
�(chǎn)品應� | 通用類MCU | 核心處理� | ARMCortex-M4 |
�(nèi)核規(guī)� | 32-� | 速度 | 72MHz |
連接能力 | CANbus,I2C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB | 外設(shè) | DMA,I2S,POR,PWM,WDT |
I/O�(shù) | 87 | 程序存儲容量 | 256KB�256Kx8� |
程序存儲器類� | 閃存 | EEPROM容量 | - |
RAM大小 | 40Kx8 | 電壓-供電(Vcc/Vdd) | 2V~3.6V |
�(shù)�(jù)�(zhuǎn)換器 | A/D39x12b;D/A2x12b | 振蕩器類� | �(nèi)� |
工作溫度 | -40°C~85°C(TA� | 安裝類型 | 表面貼裝� |
基本�(chǎn)品編� | STM32F303 | HTSUS | 8542.31.0001 |
濕氣敏感性等�(MSL) | 3�168小時� | ECCN | 3A991A2 |
RoHS狀�(tài) | 符合ROHS3�(guī)� | REACH狀�(tài) | 非REACH�(chǎn)� |
STM32F303VCT6原理�
STM32F303VCT6引腳�
STM32F303VCT6封裝
STM32F303VCT6絲印
STM32F303VCT6料號解釋