容量：3.9pF
　　額定電壓：50V
　　公差：±0.25pF
　　尺寸：0402英寸（1.0mm x 0.5mm）
　　介質(zhì)材料：C0G（NP0）
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +125℃
　　封裝類(lèi)型：表面貼裝
　　ESR：典型值≤0.01Ω
　　DF：≤0.15%（1kHz，20℃）

VJ0402A3R9CXAAP 的主要特性包括：
　　1. 溫度系數(shù)為 0ppm/℃，確保在寬溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的電容值。
　　2. 具有低等效串聯(lián)電阻 (ESR) 和低等效串聯(lián)電感 (ESL)，適合高頻應(yīng)用。
　　3. 極低的介質(zhì)損耗因數(shù) (DF)，使得該電容器非常適合低損耗信號(hào)路徑和射頻應(yīng)用。
　　4. 使用 C0G 介質(zhì)，使其具備出色的頻率穩(wěn)定性和抗老化性能。
　　5. 小型化設(shè)計(jì)，便于高密度組裝，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛焊接兼容。
　　6. 高可靠性，適用于對(duì)電氣性能要求苛刻的應(yīng)用場(chǎng)合。

這款電容器可廣泛用于以下領(lǐng)域：
　　1. 高頻通信設(shè)備中的濾波和耦合電路。
　　2. 振蕩器、諧振器以及射頻模塊中的關(guān)鍵組件。
　　3. 高速數(shù)字電路中的旁路電容，用于電源去耦和噪聲抑制。
　　4. 工業(yè)控制設(shè)備和醫(yī)療電子設(shè)備中的信號(hào)調(diào)理電路。
　　5. 衛(wèi)星通信、雷達(dá)系統(tǒng)以及其他高端電子設(shè)備中對(duì)穩(wěn)定性要求極高的場(chǎng)景。

VJ0402A3R9CYAAP, VJ0402A3R9CTAAP, VJ0402A3R9CUAAP