這些器件是使用新一代MDmesh?技�(shù)開發(fā)的N溝道功率MOSFET:MDmesh II Plus?低Qg。這些革命性的功率MOSFET將垂直結(jié)�(gòu)與公司的條形布局相結(jié)�,產(chǎn)生了世界上最低的�(dǎo)通電阻和柵極電荷之一。因�,它們適用于要求最苛刻的高效轉(zhuǎn)換器�
極低的柵極電�
與上一代相�,RDS(on)x面積更低
MDmesh?II技�(shù)
低柵極輸入電�
100%雪崩�(cè)�
通道�(shù)�
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.38Ω
耗散功率�110 W
閾值電壓:3 V
漏源極電�(Vds)�600 V
漏源擊穿電壓�650 V
上升�(shí)間:10 ns
輸入電容(Ciss)�580pF 100V(Vds)
額定功率(Max)�110 W
下降�(shí)間:9.5 ns
工作溫度(Max)�150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�110W(Tc)
安裝方式:Surface Mount
引腳�(shù)�
封裝:TO-252-3
�(zhǎng)度:6.6 mm
寬度�6.2 mm
高度�2.4 mm
封裝:TO-252-3
RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free