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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > STD13N60M2

STD13N60M2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/8/19 14:44:36 查看 閱讀�246

這些器件是使用新一代MDmesh?技�(shù)開發(fā)的N溝道功率MOSFET:MDmesh II Plus?低Qg。這些革命性的功率MOSFET將垂直結(jié)�(gòu)與公司的條形布局相結(jié)�,產(chǎn)生了世界上最低的�(dǎo)通電阻和柵極電荷之一。因�,它們適用于要求最苛刻的高效轉(zhuǎn)換器�

特征說明

極低的柵極電�
  與上一代相�,RDS(on)x面積更低
  MDmesh?II技�(shù)
  低柵極輸入電�
  100%雪崩�(cè)�

技�(shù)參數(shù)

通道�(shù)�
  針腳�(shù)�
  漏源極電阻:0.38Ω
  耗散功率�110 W
  閾值電壓:3 V
  漏源極電�(Vds)�600 V
  漏源擊穿電壓�650 V
  上升�(shí)間:10 ns
  輸入電容(Ciss)�580pF 100V(Vds)
  額定功率(Max)�110 W
  下降�(shí)間:9.5 ns
  工作溫度(Max)�150�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�110W(Tc)

封裝參數(shù)

安裝方式:Surface Mount
  引腳�(shù)�
  封裝:TO-252-3

外形尺寸

�(zhǎng)度:6.6 mm
  寬度�6.2 mm
  高度�2.4 mm
  封裝:TO-252-3

符合�(biāo)�(zhǔn)

RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
  含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free

std13n60m2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

std13n60m2參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�11,847�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �16.54000剪切帶(CT�2,500 : �7.55021卷帶(TR�
  • 系列MDmesh? II Plus
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)11A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)380 毫歐 @ 5.5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)17 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)580 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)110W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�DPAK
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63