SPH252012H2R2MT 是一款由 Vishay 提供的高效能 N 溝道邏輯電平 MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)計,專為低導(dǎo)通電阻和高效率應(yīng)用而優(yōu)�。該器件通常用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)動等場景,具有出色的性能表現(xiàn)和可靠��
型號:SPH252012H2R2MT
品牌:Vishay
類型:N溝道MOSFET
Vds(漏源極電壓):30 V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�2.4 mΩ(典型�,Vgs=10V時)
Id(連續(xù)漏極電流):87 A
Qg(柵極電荷)�18 nC
EAS(雪崩能量)�250 mJ
封裝:TO-263-3 (DPAK)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SPH252012H2R2MT 的主要特點是其超低的�(dǎo)通電� Rds(on),這使其非常適合低損耗功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。此�,該器件具備較高的電流承載能力和良好的熱�(wěn)定性,確保在高功率密度條件下運行時依然保持�(wěn)��
由于采用� DPAK 封裝形式,SPH252012H2R2MT 具有較大的散熱面�,從而提高了功率處理能力,并且簡化了 PCB 布局�(shè)計過程中的熱管理問題�
其邏輯電平柵極驅(qū)動特性允許直接與 3.3V � 5V 控制信號兼容,減少了對外部驅(qū)動電路的需�,�(jìn)一步降低了系統(tǒng)�(fù)雜度和成本�
同時,該器件還具備快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并提高整體效率。這些特點使得 SPH252012H2R2MT 成為高性能功率管理的理想選擇�
SPH252012H2R2MT 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)域,例如�
- 開關(guān)電源(SMPS�
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- �(fù)載開�(guān)
- 電機(jī)�(qū)動控�
- 電池管理系統(tǒng)(BMS�
- 工業(yè)自動化設(shè)�
- 通信電源模塊
得益于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能�,SPH252012H2R2MT 特別適合要求�(yán)格能效標(biāo)�(zhǔn)的應(yīng)用場��
SPH252012H2R2ML, IRF3205, AO3400