SRT40L60DC-R是一款基于硅技術的高性能MOSFET功率晶體�,采用TOLL封裝形式。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于各種高頻開關應用場合,例如開關電�、電機驅動以及DC-DC轉換器等。其額定電壓�600V,能夠滿足高壓應用場景的需�,同時具備出色的熱性能和可靠��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�40A
導通電阻(典型值)�90mΩ
柵極電荷�38nC
開關時間(開啟)�50ns
開關時間(關閉)�28ns
工作結溫范圍�-55℃至175�
SRT40L60DC-R的主要特點是其優(yōu)化的RDS(on)性能,在高頻應用中能顯著降低傳導損�,提高整體效�。此�,該器件還具有較低的柵極電荷和輸出電�,有助于減少開關損��
它采用了先進的芯片設計和封裝技�,確保了良好的散熱特性和抗浪涌能�,使其非常適合于嚴苛的工作環(huán)境。此�,其緊湊的TOLL封裝也方便PCB布局設計,從而節(jié)約空間并提升系統(tǒng)集成��
這款功率MOSFET廣泛應用于工�(yè)及消費類電子領域,包括但不限于以下場景:
- 開關模式電源(SMPS)
- DC-DC轉換�
- 電機驅動與控�
- 太陽能逆變�
- 電池管理系統(tǒng)(BMS)
- 脈寬�(diào)�(PWM)控制�
由于其高耐壓和大電流承載能力,特別適合用于需要高效能量轉換和可靠運行的電力電子設��
SRT45L60DC-R, SRT40L65DC-R