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IRF640STRLPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/9 16:57:07 查看 閱讀�685

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

   


目錄

概述

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�180 毫歐 @ 11A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�200V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�18A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�70nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �1300pF @ 25V

    功率 - 最大:130W

    安裝�(lèi)型:表面貼裝

    封裝/外殼:D2Pak,TO-263�2 引線 + 接片�

    包裝:帶� (TR)

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*


資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

irf640strlpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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irf640strlpbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRF640S, LPBF
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 11A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最�130W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-263(D2Pak�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)IRF640STRLPBF-NDIRF640STRLPBFTR