SQJ486EP-T1_GE3 是一款基于硅技�(shù)制造的高性能功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于高效率開關(guān)�(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于需要高效能、小體積和高可靠性的電路�(shè)��
其主要應(yīng)用場景包括開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)等電力電子領(lǐng)�。由于其出色的性能,這款芯片廣泛用于消費電子、工�(yè)控制以及汽車電子等領(lǐng)��
型號:SQJ486EP-T1_GE3
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):114A
Qg(總柵極電荷):27nC
Eoss(輸出電容儲能)�97μJ
Vgs(th)(柵源開啟電壓)�2.5V~4.5V
工作溫度范圍�-55℃~175�
封裝形式:TO-263-3(D2PAK�
SQJ486EP-T1_GE3 具有以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通損耗并提升整體效率�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻開�(guān)�(yīng)�,能夠降低開�(guān)損��
3. 高電流承載能力,支持大功率系�(tǒng)�(shè)��
4. 寬廣的工作溫度范�,使其能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
5. 采用 TO-263-3 封裝,具備良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
7. �(nèi)部集成防靜電保護(hù)功能,提高可靠性�
這些特性使 SQJ486EP-T1_GE3 成為許多高要求電力電子應(yīng)用的理想選擇�
SQJ486EP-T1_GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)�
3. 汽車電子系統(tǒng),如電動助力�(zhuǎn)向(EPS�、制動系�(tǒng)和電池管理系�(tǒng)(BMS��
4. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)動和�(fù)載控��
5. 消費電子�(chǎn)品中的充電器和適配器�
6. 通信�(shè)備中的電源管理模��
憑借其卓越的性能和可靠�,SQJ486EP-T1_GE3 在各種高功率密度和高效能需求的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
SQJ486EP-D_T1, IRF540N, FDP55N06L