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MTD20P03HDLT4G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 14:14:43 查看 閱讀�16

MTD20P03HDLT4G 是一款高性能� N 溝道功率 MOSFET,采� Trench 技�(shù)制造。該器件主要�(yīng)用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能的電路中。其�(yōu)化的�(shè)計使其在功率�(zhuǎn)�、電機驅(qū)�、負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域表�(xiàn)出色�
  這款 MOSFET 的最大特點是低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻�(yīng)用中減少功率損�,并提高整體系統(tǒng)效率�

參數(shù)

型號:MTD20P03HDLT4G
  類型:N 溝道功率 MOSFET
  封裝:TO-252(DPAK)
  最大漏源電�(Vdss)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�20A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ(典型�,在 Vgs=10V 下)
  總柵極電�(Qg)�17nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

MTD20P03HDLT4G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低傳�(dǎo)損�,提高效率�
  2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用�
  3. 高度可靠� Trench 工藝技�(shù),確保器件在各種�(huán)境下的穩(wěn)定��
  4. 小型� TO-252 封裝,節(jié)� PCB 空間,適用于緊湊型設(shè)��
  5. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)惡劣的工作環(huán)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工��
  這些特性使� MTD20P03HDLT4G 成為眾多功率管理�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

MTD20P03HDLT4G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于筆記本電腦、服�(wù)器和其他電子�(shè)備�
  3. 電機�(qū)動電�,例如步進電機和直流無刷電機�
  4. �(fù)載開�(guān),用于便攜式電子�(chǎn)品�
  5. 電池保護電路,如鋰電池管理系�(tǒng)�
  6. 電信�(shè)備中的功率級�(yīng)��
  由于其優(yōu)異的性能和可靠�,MTD20P03HDLT4G 在上述應(yīng)用場景中表現(xiàn)出卓越的效率和穩(wěn)定��

替代型號

MTD20P03HDMLT4G, MTD20P03HDTLT4G

mtd20p03hdlt4g推薦供應(yīng)� 更多>

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