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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI3407DV-T1

SI3407DV-T1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 12:42:46 查看 閱讀�22

SI3407DV-T1 是一款由 Siliconix(現(xiàn)� Vishay 公司旗下品牌)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen II 技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,非常適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種電源管理�(yīng)�。其小型化的封裝�(shè)�(jì)使其成為�(duì)空間要求�(yán)格的便攜式設(shè)備的理想選擇�
  該器件的最大特�(diǎn)是能夠在較寬的電壓范圍內(nèi)提供卓越的效率表�(xiàn),并且支持高頻操作,從而減少系�(tǒng)中的電感和電容尺�,降低整體解決方案成��

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�6.2A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�5.5mΩ @ Vgs=4.5V
  柵極電荷(Qg)�9nC
  總功�(Ptot)�0.8W
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +150°C
  封裝�(lèi)型:DSO-8

特�

1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,支持高�(dá) 2MHz 的開(kāi)�(guān)頻率�
  3. 小型化封� DSO-8,節(jié)� PCB 空間�
  4.�(huán)保設(shè)�(jì)�
  5. 提供�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持可靠的運(yùn)行狀�(tài)�
  6. �(nèi)置反向恢�(fù)�(shí)間短的體二極�,適合同步整流等高頻�(yīng)��

�(yīng)�

1. 移動(dòng)�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 筆記本電腦和�(tái)式機(jī)的電源管理系�(tǒng)�
  3. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
  4. 通信�(shè)備中的電源模��
  5. 小型電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)合�

替代型號(hào)

SI3406ADP-T1
  SI3408DV-T1
  IRLZ44N
  FDP5512

si3407dv-t1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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  • �(xún)�(jià)

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