SPH252010H100MT 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開關等應用。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式為小型化表面貼裝�,非常適合空間受限的設計場景�
SPH252010H100MT屬于N溝道增強型MOSFET,能夠提供高效的功率�(zhuǎn)換和�(wěn)定的電氣特�,廣泛應用于消費電子、工�(yè)控制以及通信設備等領域�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�20A
導通電阻(典型值)�1.0mΩ
柵極電荷(典型值)�87nC
總電容(輸入電容):940pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝類型:TO-Leadless
SPH252010H100MT具有以下主要特性:
1. 極低的導通電�,可顯著降低功耗并提高效率�
2. 高電流承載能力,適合大功率應用場��
3. 快速開關性能,減少開關損��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下的可靠運��
5. 小型化的封裝設計,節(jié)省PCB空間�
6. 寬泛的工作溫度范�,適應多種極端條件�
7. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保�
該芯片適用于以下應用領域�
1. 開關電源及適配器設計�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 負載開關和保護電��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理�
6. 汽車電子中的電池管理系統(tǒng)�
7. 各類高效能功率轉(zhuǎn)換模��
SPH252010H150MT, IRF3710, FDP17N20