MT18B103M101CT 是一款由 Micron Technology(美光科技)生�(chǎn)� DDR3 SDRAM �(nèi)存芯�。該芯片屬于 DDR3L 系列,采用低電壓�(shè)�(jì)�1.35V),主要用于筆記本電�、嵌入式系統(tǒng)和移�(dòng)�(shè)備等�(duì)功耗敏感的�(yīng)用場(chǎng)景�
DDR3 技�(shù)通過提高�(shù)�(jù)傳輸速率和降低功耗來滿足�(xiàn)代計(jì)算需�。MT18B103M101CT 提供了高密度存儲(chǔ)容量和快速的�(shù)�(jù)訪問速度,其�(nèi)部結(jié)�(gòu)基于先�(jìn)的制程工�,從而優(yōu)化了性能與能耗的平衡�
類型:DDR3L SDRAM
容量�4Gb (512MBx8)
組織方式�512M x 8
電壓�1.35V
�(shù)�(jù)速率�1600Mbps
封裝形式:FBGA 78-ball
工作溫度�-40°C � +85°C
I/O �(biāo)�(zhǔn)�1.35V VTT
�(shí)鐘周期:tCK=1.25ns
MT18B103M101CT 的主要特性包括高速數(shù)�(jù)傳輸能力、低功耗設(shè)�(jì)以及�(qiáng)大的�(wěn)定��
1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支持高�(dá) 1600Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體性能�
2. 低功耗:�(yùn)行在 1.35V 電壓�,相比傳�(tǒng)� DDR3 芯片�(jìn)一步降低了功�,非常適合電池供電設(shè)��
3. 小型化封裝:采用 FBGA 78 球封�,具有更小的尺寸和更高的引腳密度,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
4. 寬溫范圍:能夠在 -40°C � +85°C 的環(huán)境下正常工作,確保了在各種環(huán)境下的可靠��
5. 兼容性強(qiáng):符� JEDEC DDR3L �(biāo)�(zhǔn),易于集成到�(xiàn)有平�(tái)中�
MT18B103M101CT 廣泛�(yīng)用于需要高性能�(nèi)存和低功耗的�(chǎng)�,包括:
1. 筆記本電腦和超極本�
2. 嵌入式系�(tǒng),例如工�(yè)控制�(shè)備和�(yī)療設(shè)��
3. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)終端�
4. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,如路由器和交換�(jī)�
5. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)�,特別是那些需要大容量?jī)?nèi)存但受限于功率預(yù)算的�(chǎn)��
MT18B1G8M8HB-1G IT, MT18B1G8M8HB-1G CT