SI9434DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 SO-8 封裝形式,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用和�(fù)載切換等場景。其低導(dǎo)通電阻特性使其成為功率管理電路的理想選擇�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�4.2A
�(dǎo)通電阻:5mΩ
總柵極電荷:7nC
開關(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
SI9434DY-T1-GE3 具有非常低的�(dǎo)通電阻(5mΩ),這有助于減少功率損耗并提高效率。此�,它還具有快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)�。該器件具備出色的熱�(wěn)定性和可靠性,在高溫環(huán)境下也能保持良好的性能�
其封裝設(shè)計支持表面貼裝技�(shù)(SMT),便于自動化生�(chǎn)。同�,SO-8 封裝提供了良好的散熱性能,適合中高功率應(yīng)��
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流電�、電�(jī)�(qū)動、負(fù)載開�(guān)以及電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)�。其高頻特性和低導(dǎo)通電阻使其特別適合便攜式電子�(shè)備中的電源管理單��
此外,由于其寬廣的工作溫度范�,SI9434DY-T1-GE3 也適用于汽車電子、工�(yè)控制以及其他需要在極端�(huán)境下工作的應(yīng)��
SI9435DY, IRF7409TRPBF, FDS6680