IRF840是N溝道功率MOSFET,其可切換負(fù)載高�(dá)500V。Mosfet可以切換消耗高�(dá)8A的負(fù)�,并且可以通過(guò)在柵極和源極引腳之間提供10V的柵極閾值電壓來(lái)使其�(dǎo)通。由于mosfet用于切換高電流高壓負(fù)�,因此它具有相對(duì)較高的柵極電壓,因此不能直接與CPU的I/O引腳一起使��
IRF840
�(chǎn)品型�(hào) | IRF840 |
制造商 | International Rectifier |
符合REACH | � |
組態(tài) | � |
最大漏極電�(Abs)(ID) | 8.0� |
最大漏極電�(ID) | 8.0� |
最大電阻下的漏� | 0.85歐姆 |
DS擊穿電壓-最小� | 500.0� |
�(chǎng)效應(yīng)管技�(shù) | 金屬氧化物半�(dǎo)� |
JEDEC-95代碼 | TO-220AB |
JESD-30代碼 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代碼 | 00 |
元素?cái)?shù) | 1.0 |
端子�(shù) | 3 |
操作模式 | 增強(qiáng)模式 |
最高工作溫� | 150� |
包裝主體材料 | 塑料/�(huán)氧樹(shù)� |
包裝形狀 | �(zhǎng)方形 |
包裝形式 | 法蘭安裝 |
峰值回流溫�(�) | 225 |
極�/通道�(lèi)� | N通道 |
功耗環(huán)境最大� | 125.0� |
最大功率耗散(Abs) | 125.0� |
脈沖漏極電流最大�(IDM) | 32.0� |
子類(lèi)� | FET通用電源 |
終端完成 | �/�(Sn / Pb) |
終端表格 | 貫穿� |
終端位置 | � |
�(shí)間@峰值回流溫�-最大�(�) | 30 |
晶體管應(yīng)� | 交換 |
晶體管元件材� | � |
N溝道功率MOSFET
連續(xù)漏極電流(ID)�8A
柵極閾值電�(VGS-th)�10V(極限=±20V)
漏極至源極擊穿電壓:500V
漏源電阻(RDS)�0.85歐姆
上升�(shí)間和下降�(shí)間分別為23nS�20nS
采用To-220封裝
切換大功率設(shè)�
逆變電路
DC-DC�(zhuǎn)換器
電機(jī)控制速度
LED�(diào)光器或閃光燈
高速開(kāi)�(guān)�(yīng)�
IRF840封裝
8N50,F(xiàn)TK480,KF12N50,IRF740,BSS138,IRF520�2N7002,BS170,BSS123,IRF3205,IRF1010E