MUN2112LT1 是一款基� MOSFET 技�(shù)的雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,能夠提供低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,適合應(yīng)用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)�。MUN2112LT1 的封裝形式為 SO-8 封裝,具有良好的散熱性能和緊湊的體積�(shè)�(jì),使其在空間受限的應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±10V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�6nC
總電容:250pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
MUN2112LT1 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可以有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適用于高頻功率�(zhuǎn)換應(yīng)用�
3. 良好的熱�(wěn)定性,確保在極端溫度條件下依然可靠�(yùn)��
4. �(nèi)置反向二極管,有助于減少�(kāi)�(guān)噪聲和提升抗干擾能力�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子設(shè)備的合規(guī)要求�
6. 緊湊� SO-8 封裝形式,便于安裝和集成到小型化�(shè)�(jì)中�
MUN2112LT1 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的功率級(jí)控制�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
4. 電池保護(hù)及充放電管理電路�
5. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
MUN2112LTG, IRLR7843, FDN360P