SI9430DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用小型化的 TO-252 (DPAK) 封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適合用于高效能開關電源、DC/DC 轉換�、負載開關及電機驅動等應用領域�
這款 MOSFET 在設計上著重�(yōu)化了導通電阻與柵極電荷之間的平�,從而提升了整體效率并降低了系統(tǒng)功耗�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�4.1A
導通電阻(Rds(on)):80mΩ
柵極閾值電壓:2.5V
總柵極電荷:12nC
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SI9430DY-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,在 4.5V 柵極驅動下僅� 80mΩ,有助于減少傳導損��
2. 高速開關性能,總柵極電荷僅為 12nC,能夠實現高頻應用�
3. 寬泛的工作溫度范圍支持各種惡劣環(huán)境下的應��
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�
5. 小型化封裝(TO-252),便于 PCB 布局和散熱設��
6. 可靠性高,具備出色的電氣特性和熱穩(wěn)定��
SI9430DY-T1-GE3 廣泛應用于以下場景:
1. 開關電源中的同步整流電路�
2. DC/DC 轉換器的高端或低端開關�
3. 電池供電設備中的負載開關�
4. 工業(yè)控制和消費電子中的電機驅動�
5. 便攜式電子產品的充電管理模塊�
6. 照明系統(tǒng)中的 LED 驅動電路�
SI9433DS, IRFZ44N, FDP5570