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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > PBL3770AN

PBL3770AN 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 10:54:38 查看 閱讀�15

PBL3770AN 是一� NPN 型高頻、大電流晶體�,廣泛應用于射頻功率放大�、無線通信�(shè)備和工業(yè)電子�(lǐng)�。該晶體管具有較高的增益帶寬乘積(fT),能夠在高頻條件下提供�(yōu)異的性能表現(xiàn)。其封裝形式通常� TO-252 或類似的表面貼裝封裝,便于在�(xiàn)代電路板上的使用�

參數(shù)

集電�-�(fā)射極電壓�45V
  集電極電流:8A
  直流電流增益(hFE):最小� 10,典型� 40
  特征頻率(fT):900MHz
  熱阻(結(jié)到環(huán)境)�120°C/W
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

PBL3770AN 的主要特性包括高增益帶寬乘積,使其適用于高頻應用;同時具備良好的線性度和低噪聲特�。它還擁有較高的電流承載能力,可以滿足大功率輸出需��
  此外,該器件采用先進的制造工�,在高頻段表�(xiàn)出較低的失真和優(yōu)秀的穩(wěn)定�,非常適合要求苛刻的射頻功率放大場景�

應用

PBL3770AN 廣泛用于射頻功率放大器設(shè)計中,如無線通信基站、業(yè)余無線電�(shè)備和測試測量儀器等。它可以作為�(qū)動級或末級功率放大器中的�(guān)鍵元�。此外,它也適用于工�(yè)、科學和�(yī)療領(lǐng)域的射頻電源及電子控制系�(tǒng)��

替代型號

PBL3769AN, PBL3771AN

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