ATSAMD21E16B-MU是Microchip公司推出的基于ARM Cortex-M0+�(nèi)核的32位微控制�。該芯片專為低功耗和高性能的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì),廣泛適用于物聯(lián)�(wǎng)�(shè)�、消�(fèi)電子、工�(yè)控制等領(lǐng)��
ATSAMD21E16B-MU具有豐富的外�(shè)接口和強(qiáng)大的處理能力,支持多種通信�(xié)�,同�(shí)提供靈活的電源管理模式以�(yōu)化能�。它集成了高�(dá)256KB的閃存和32KB的SRAM,能夠滿足大多數(shù)嵌入式應(yīng)用的需��
�(nèi)核:ARM Cortex-M0+
主頻:最�48MHz
閃存�256KB
SRAM�32KB
GPIO引腳�(shù)�23
ADC位數(shù)�12�
UART接口�(shù)量:2
SPI接口�(shù)量:2
I2C接口�(shù)量:2
封裝形式:QFN32
工作溫度范圍�-40°C�+85°C
供電電壓�1.8V�3.6V
ATSAMD21E16B-MU具有低功耗特性和高效的性能表現(xiàn)。其主要特性包括:
1. ARM Cortex-M0+�(nèi)核提供卓越的能效�,適合電池供電的�(shè)��
2. 集成的外�(shè)包括串行通信接口(UART、SPI、I2C�、模�(shù)�(zhuǎn)換器(ADC)等,能夠簡(jiǎn)化硬件設(shè)�(jì)�
3. �(nèi)置的DMA控制器可以減少CPU�(fù)�,提高數(shù)�(jù)傳輸效率�
4. 支持多種低功耗模�,例如待�(jī)、深度睡眠等,�(jìn)一步延�(zhǎng)電池壽命�
5. 提供全面的安全功能,如AES加密加速器和真隨機(jī)�(shù)生成器(TRNG�,增�(qiáng)�(shù)�(jù)保護(hù)能力�
6. 具有可編程外�(shè)互聯(lián)(Event System),允許外設(shè)之間直接通信而無需CPU介入�
ATSAMD21E16B-MU適用于多種應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
1. 物聯(lián)�(wǎng)終端�(shè)�,例如傳感器節(jié)�(diǎn)、智能家居控制器��
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品,如便攜式�(yī)療設(shè)�、玩�、遙控器�
3. 工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中的小型控制器或監(jiān)�(cè)單元�
4. 人機(jī)界面�(shè)�,例如觸摸屏控制器或鍵盤接口�
5. �(shù)�(jù)采集系統(tǒng),利用其高精度ADC�(jìn)行信�(hào)采樣與處��
6. 電池供電�(shè)�,得益于其出色的低功耗設(shè)�(jì)�
ATSAMD21E17A-MU, ATSAMD21E18A-MU