SI7818DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)效率的特�(diǎn),非常適合用于各種功率轉(zhuǎn)換和�(fù)載開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
這款 MOSFET 的封裝形式為 DPAK(TO-252�,具有較高的電流處理能力和良好的散熱性能。其出色的電氣特性使其在消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信系統(tǒng)中得到了廣泛�(yīng)用�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷�110nC(典型值)
輸入電容�1920pF(典型值)
總功耗:120W
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
SI7818DN-T1-GE3 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,可滿足大功率應(yīng)用的需求�
3. 緊湊� DPAK 封裝�(shè)�(jì),便� PCB 布局和散熱管��
4. 寬工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境條件下的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
6. �(yōu)秀的開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
7. �(nèi)置反向二極管,簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)并減少外部元件需��
SI7818DN-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
3. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池管理系�(tǒng)�
6. 通信系統(tǒng)中的 DC/DC �(zhuǎn)換器�
7. 各種需要高效功率切換的�(yīng)用場(chǎng)��
SI7818DP-T1-GE3, IRF7818