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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI7818DN-T1-GE3

SI7818DN-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 18:55:18 查看 閱讀�34

SI7818DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)效率的特�(diǎn),非常適合用于各種功率轉(zhuǎn)換和�(fù)載開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
  這款 MOSFET 的封裝形式為 DPAK(TO-252�,具有較高的電流處理能力和良好的散熱性能。其出色的電氣特性使其在消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信系統(tǒng)中得到了廣泛�(yīng)用�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�110nC(典型值)
  輸入電容�1920pF(典型值)
  總功耗:120W
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C

特�

SI7818DN-T1-GE3 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能�,可滿足大功率應(yīng)用的需求�
  3. 緊湊� DPAK 封裝�(shè)�(jì),便� PCB 布局和散熱管��
  4. 寬工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境條件下的可靠��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
  6. �(yōu)秀的開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
  7. �(nèi)置反向二極管,簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)并減少外部元件需��

�(yīng)�

SI7818DN-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  3. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池管理系�(tǒng)�
  6. 通信系統(tǒng)中的 DC/DC �(zhuǎn)換器�
  7. 各種需要高效功率切換的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

SI7818DP-T1-GE3, IRF7818

si7818dn-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si7818dn-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

si7818dn-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.2A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C135 毫歐 @ 3.4A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? 1212-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7818DN-T1-GE3TR