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SDN10N4P9S2B 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 13:59:02 查看 閱讀�34

SDN10N4P9S2B 是一款基于硅材料� N 沒爾金屬氧化物半�(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(NMOSFET�,適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及良好的熱�(wěn)定�,使其非常適合于需要高效能和可靠性的電路�(shè)計�
  SDN10N4P9S2B 的封裝形式通常為小型表面貼裝封裝(� SOT-23 � DPAK�,能夠滿足緊湊型�(shè)計的需�,同時其�(yōu)異的電氣性能可廣泛應(yīng)用于消費電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  持續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�8nC
  開關(guān)時間:t_on=15ns, t_off=10ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  熱阻(結(jié)到殼):2°C/W

特�

SDN10N4P9S2B 具有以下幾個顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠在高電流下減少功耗并提升效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器� PWM 控制器�
  3. 出色的熱性能,即使在極端溫度條件下也能保持穩(wěn)定運(yùn)��
  4. 小型化封�,便� PCB 布局�(yōu)化和提高空間利用��
  5. �(qiáng)大的過流保護(hù)能力,確保在異常情況下不會輕易損��
  這些特性使� SDN10N4P9S2B 成為眾多功率管理�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

SDN10N4P9S2B 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
  2. 電機(jī)�(qū)動電路中的負(fù)載切��
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載保�(hù)和控制�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與功率放大�
  5. 便攜式電子產(chǎn)品中的電池充電管理�
  由于其出色的性能和可靠�,這款 NMOSFET 在各類需要高效能功率處理的應(yīng)用中表現(xiàn)卓越�

替代型號

IRF540N
  STP10NK60Z
  FDP5500
  AO3400

sdn10n4p9s2b推薦供應(yīng)� 更多>

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