CDR31BX222BKZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的電子�(shè)備中。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,從而顯著提高了系統(tǒng)的效率和可靠性�
這款功率MOSFET為N溝道增強(qiáng)型器�,具有出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能。其封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,能夠滿足高功率密度�(yīng)用的需��
類型:N溝道功率MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�75A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ
總功�(Ptot)�280W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
CDR31BX222BKZPAT具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�(2.2mΩ),有效降低傳�(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻工作場(chǎng)��
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件的魯棒��
4. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,提升了器件在實(shí)際應(yīng)用中的抗干擾能力�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于全球市�(chǎng)�
6. �(yōu)秀的熱性能,確保長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
這些特性使得CDR31BX222BKZPAT成為高效率功率轉(zhuǎn)換和控制的理想選擇�
CDR31BX222BKZPAT主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)�(shè)�(jì),提供高效的電能�(zhuǎn)��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng),用于精確的速度和扭矩控��
3. 新能源汽車中的DC-DC�(zhuǎn)換器,助力電�(dòng)汽車的能量管理�
4. 太陽能逆變�,提高可再生能源利用效率�
5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
該器件憑借其卓越的性能,在多�(gè)行業(yè)中都�(fā)揮了重要作用�
CDR31BX222BKZPAN, CDR31BX222BKZPATR, IRFP2907