NVF5P03T3G 是一款由 ON Semiconductor 提供� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 Trench 技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場�。其封裝形式� TO-263(D2PAK�,適合表面貼�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機控制和�(fù)載切換等�(lǐng)域�
� MOSFET 的額定電壓為 60V,能夠提供高� 89A 的連續(xù)漏極電流(在特定條件下)。得益于其優(yōu)化的 Rds(on) 參數(shù),NVF5P03T3G 可以顯著降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�89A
最大柵極源極電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
總功耗:180W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝類型:TO-263(D2PAK�
NVF5P03T3G 具有以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損耗并提升效率�
2. 高雪崩能量能�,確保在過載或異常情況下仍能可靠運行�
3. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
4. 熱穩(wěn)定性好,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)��
6. 表面貼裝封裝,便于自動化生產(chǎn)和裝��
這些特性使� NVF5P03T3G 成為高性能 DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變�、電機驅(qū)動以及負(fù)載開�(guān)的理想選��
NVF5P03T3G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(shè)備中的開�(guān)電源和功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)�
2. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的高效功率轉(zhuǎn)換模��
3. 消費電子�(chǎn)品的適配器和充電��
4. 電動汽車及混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)和電機控制器�
5. 家用電器中的功率控制單元�
由于其出色的電氣特性和熱性能,NVF5P03T3G 能夠滿足各種�(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需��
NTMFS5C626, IRF540N, FDP16N6S