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SI4435DY 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 12:50:21 查看 閱讀�43

SI4435DY 是一款由 Silicon Labs(硅�(shí)�(yàn)室)推出的高性能、低功耗的 Sub-GHz 射頻收發(fā)器芯�,廣泛應(yīng)用于無線通信�(lǐng)�。該芯片支持多種�(diào)制模式,并提供靈活的配置選項(xiàng),使其能夠滿足物�(lián)�(wǎng) (IoT)、工�(yè)控制、智能家居和無線傳感器網(wǎng)�(luò)等應(yīng)用場(chǎng)景的需求�
  SI4435DY 支持頻率范圍� 119 MHz � 1050 MHz,具有高靈敏度和�(qiáng)大的抗干擾能�,能夠在�(fù)雜的射頻�(huán)境中�(wěn)定工作�

參數(shù)

頻率范圍�119 MHz � 1050 MHz
  輸出功率�+20 dBm(最大值)
  接收靈敏度:-121 dBm(典型�,F(xiàn)SK �(diào)制)
  �(diào)制方式:FSK、GFSK、MSK、OOK、ASK
  電源電壓�1.8 V � 3.6 V
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:QFN40�6 mm x 6 mm�

特�

SI4435DY 的主要特性包括:
  1. 高度集成的設(shè)�(jì),內(nèi)置了 PA(功率放大器�、LNA(低噪聲放大器)以及 Balun 等組件,減少了外部元件的需��
  2. 支持多種�(diào)制模�,可以根�(jù)具體�(yīng)用選擇最適合的調(diào)制方��
  3. 提供高達(dá) +20 dBm 的可編程輸出功率,確保遠(yuǎn)距離傳輸性能�
  4. 極低的接收電流和待機(jī)電流,有助于延長(zhǎng)電池供電�(shè)備的使用壽命�
  5. �(nèi)� CRC、數(shù)�(jù)白化和前�(dǎo)檢測(cè)功能,簡(jiǎn)化了�(xié)議棧的開�(fā)�
  6. 支持空中固件升級(jí) (FOTA),方便遠(yuǎn)程更新設(shè)備軟件�
  7. 具備良好的共存�,適合多�(xié)議或混合�(wǎng)�(luò)�(huán)境�

�(yīng)�

SI4435DY 廣泛用于以下�(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 物聯(lián)�(wǎng) (IoT) �(shè)�,如智能門鎖、環(huán)境監(jiān)�(cè)傳感器等�
  2. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng),例如遠(yuǎn)程監(jiān)控、過程控制等�
  3. 智能家居�(chǎn)�,包括無線開�(guān)、安防報(bào)警系�(tǒng)��
  4. 無線傳感器網(wǎng)�(luò) (WSN),適用于�(nóng)�(yè)、物流和健康�(jiān)�(cè)等領(lǐng)��
  5. 無線抄表系統(tǒng),如水表、電表和氣表的數(shù)�(jù)采集與傳輸�
  6. �(yī)療電子設(shè)�,例如可穿戴健康�(jiān)�(cè)裝置�

替代型號(hào)

SI4432、SI4463、CC1101

si4435dy推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si4435dy資料 更多>

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  • 描述
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si4435dy參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝95
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 8A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2320pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝管件
  • 其它名稱*SI4435DY