MMG3013NT1是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件通常用于開關(guān)和功率放大應(yīng)用中,其低導(dǎo)通電阻和高效率使其成為許多電力電子設(shè)計中的理想選擇。它適用于多種工�(yè)、汽車和消費(fèi)類電子產(chǎn)品,廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合�
MMG3013NT1采用TO-252封裝形式,能夠承受較高的漏源電壓,并提供快速的開關(guān)速度和較低的功耗�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�3.6A
�(dǎo)通電阻:75mΩ
柵極電荷�10nC
總電容:280pF
工作溫度范圍�-55°C to +150°C
MMG3013NT1具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少功率損��
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用�
3. 高擊穿電�,確保在各種�(huán)境下的可靠運(yùn)行�
4. 小型化封裝,便于PCB布局�(shè)��
5. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)工作�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
該器件適用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)控制和驅(qū)�
4. 汽車電子系統(tǒng)
5. 工業(yè)自動化設(shè)�
6. 各種電池充電管理系統(tǒng)
7. 照明�(qū)動電路,如LED�
IRLZ44N, FDP5570, AO3400