FDC636P是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,主要應(yīng)用于需要低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的場�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,在小型封裝中實(shí)�(xiàn)了卓越的性能表現(xiàn)。其典型�(yīng)用包括負(fù)載開�(guān)、同步整流器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電池保護(hù)電路��
該器件具有較低的�(dǎo)通電阻和極高的電流承載能力,同時(shí)具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在各種惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
型號:FDC636P
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
Vds(漏源電壓)�30V
Vgs(柵源電壓):�20V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.7mΩ
Id(漏極電流)�145A
Ptot(總功耗)�1.6W
封裝形式:TO-263-3
工作溫度范圍�-55� to +175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),僅�1.7mΩ,有助于減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能力,最大支�145A的漏極電�,適用于大功率應(yīng)用場景�
3. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下正常工作,適應(yīng)范圍�-55℃至+175��
4. 采用TO-263-3封裝形式,便于安裝且散熱性能�(yōu)��
5. 快速開�(guān)性能,能夠有效降低開�(guān)損耗并提升整體工作效率�
6. 靜電防護(hù)�(shè)�(jì),增�(qiáng)了芯片在�(shí)際使用中的可靠性與抗干擾能��
FDC636P廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,如�
1. 各類�(fù)載開�(guān),用于實(shí)�(xiàn)對電路中不同部分的快速控制�
2. 同步整流�,特別是在高頻開�(guān)電源中發(fā)揮重要作��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心元件之一,用于提升轉(zhuǎn)換效率并減小體積�
4. 電池保護(hù)電路,提供過流及短路保護(hù)功能�
5. 其他涉及大電�、高頻開�(guān)的應(yīng)用場�,例如電�(jī)�(qū)動器或逆變器等�
FDS6680P
FDP5500
IRLZ44N