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時(shí)間：2025/5/29 17:21:54
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SI3588DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TrenchFET 第三代技術(shù)制造。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），從而實(shí)現(xiàn)高效率和低功耗。它適用于多種高頻開關(guān)應(yīng)用，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、同步整流以及電池供電設(shè)備等。該器件封裝為 LFPAK56（D2PAK 封裝兼容），支持表面貼裝工藝，適合大批量自動(dòng)化生產(chǎn)。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：19A
導(dǎo)通電阻：0.75mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時(shí)）
柵極電荷：19nC（典型值）
反向恢復(fù)時(shí)間：45ns（典型值）
工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +175°C
熱阻（結(jié)到殼）：15°C/W
SI3588DV-T1-GE3 的主要特性包括超低導(dǎo)通電阻，可顯著降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。此外，其快速開關(guān)性能使其非常適合高頻應(yīng)用。TrenchFET 第三代技術(shù)優(yōu)化了器件的電氣性能和熱性能，確保在高功率密度條件下保持穩(wěn)定性。
該器件還具備出色的熱穩(wěn)定性和抗雪崩能力，能夠在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下可靠運(yùn)行。其緊湊的 LFPAK56 封裝節(jié)省了 PCB 空間，并支持高效的散熱設(shè)計(jì)。
Vishay 提供的技術(shù)文檔詳細(xì)說明了該器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)和靜態(tài)參數(shù)，便于用戶進(jìn)行精確的設(shè)計(jì)和仿真。
SI3588DV-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于需要高效功率管理的場景，包括但不限于：
1. 筆記本電腦及平板電腦中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
2. 電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的負(fù)載點(diǎn)電源
3. 工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電池管理系統(tǒng)
5. 同步整流電路
由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，該器件能夠滿足高性能和高可靠性要求的應(yīng)用需求。
SI3589DS-T1-GE3
SI3441DS
IRLR7846PbF
