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CSD16412Q5A 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 18:12:37 查看 閱讀�21

CSD16412Q5A 是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)� N 沒有極場效應晶體管(MOSFET�。該器件采用先進的工藝制�,具有低導通電阻和高開關速度的特�。它適用于需要高效能功率轉換的應用場�,例如電機驅動、DC-DC 轉換�、負載開關和電源管理電路等。該 MOSFET 采用� QFN 封裝,有助于提高散熱性能并節(jié)省印刷電路板的空��
  這款器件的工作電壓范圍寬廣,能夠承受較高的漏源電�,同時具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性,適合在各種惡劣環(huán)境下工作�

參數(shù)

類型:N溝道增強� MOSFET
  封裝:QFN (5x6mm)
  最大漏源電壓(Vds):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):97A
  導通電阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷(Qg):88nC(典型值)
  開關時間:ton=11ns,toff=19ns(典型值)
  功耗:取決于具體應用條�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

CSD16412Q5A 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,能夠有效降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能�,支持高� 97A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開關特�,減少了開關損�,適合高頻應用�
  4. 緊湊� QFN 封裝設計,節(jié)� PCB 空間,同時提供良好的散熱性能�
  5. 寬泛的工作電壓范�,能夠適應多種電路需��
  6. 符合汽車級標�,能夠在極端溫度范圍內保持穩(wěn)定運��
  7. 提供了優(yōu)異的 ESD 和浪涌保護功�,增強了器件的魯棒��
  這些特性使� CSD16412Q5A 成為高效�、高密度功率轉換應用的理想選擇�

應用

CSD16412Q5A 廣泛應用于以下領域:
  1. 汽車電子:如電動助力轉向系統(tǒng)(EPS�、制動系�(tǒng)、空調壓縮機��
  2. 工業(yè)自動化:用于伺服驅動器、逆變�、不間斷電源(UPS)等設備�
  3. 通信設備:適用于基站功率放大�、電信電源模��
  4. 消費類電子產(chǎn)品:如筆記本電腦適配�、游戲機電源��
  5. LED 照明:用于驅動大功率 LED 燈具�
  由于其高性能和可靠�,CSD16412Q5A 在許多對效率和空間要求嚴格的場景中表�(xiàn)出色�

替代型號

CSD18502Q5A, CSD19501Q5B

csd16412q5a推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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csd16412q5a參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�NexFET MOSFET Technology
  • 視頻文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C52A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫歐 @ 10A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs3.8nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds530pF @ 12.5V
  • 功率 - 最�3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應商設備封�8-SON�5x6�
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-24256-6