SI3473DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的�(kāi)�(guān)性能。其封裝形式� Hot FET? PowerPAK? SO-8L,適用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件在消�(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信電源等領(lǐng)域有廣泛�(yīng)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�29A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷�15nC(典型值)
反向恢復(fù)�(shí)間:36ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
SI3473DV-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高效的開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
3. 小巧的封裝設(shè)�(jì),能夠節(jié)� PCB 空間�
4. 支持高達(dá) 175°C 的工作結(jié)�,保證了器件在高溫環(huán)境下的可靠��
5. 提供出色的熱性能和電氣性能,適�(yīng)�(yán)苛的工作條件�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 和多� VRM �(yīng)��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)�
4. 電池保護(hù)電路�
5. 電信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的功率管理�
6. 工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
SI3474DS-T1-E3, IRF7772PbF