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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI3473DV-T1-GE3

SI3473DV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 10:25:49 查看 閱讀�4

SI3473DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的�(kāi)�(guān)性能。其封裝形式� Hot FET? PowerPAK? SO-8L,適用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件在消�(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信電源等領(lǐng)域有廣泛�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�29A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�15nC(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)間:36ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

SI3473DV-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高效的開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
  3. 小巧的封裝設(shè)�(jì),能夠節(jié)� PCB 空間�
  4. 支持高達(dá) 175°C 的工作結(jié)�,保證了器件在高溫環(huán)境下的可靠��
  5. 提供出色的熱性能和電氣性能,適�(yīng)�(yán)苛的工作條件�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  2. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 和多� VRM �(yīng)��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)�
  4. 電池保護(hù)電路�
  5. 電信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的功率管理�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��

替代型號(hào)

SI3474DS-T1-E3, IRF7772PbF

si3473dv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

si3473dv-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.9A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫歐 @ 7.9A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs33nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)