類型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源電壓Vds：600V
　　最大柵源電壓Vgs：±20V
　　連續(xù)漏極電流Id：11A
　　導(dǎo)通電阻Rds(on)：0.5Ω
　　總功耗Ptot：240W
　　結(jié)溫范圍Tj：-55°C to 175°C
　　封裝形式：TO-220

WPE3611P1具有以下關(guān)鍵特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可以顯著減少傳導(dǎo)損耗。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力，適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
　　3. 高雪崩能量承受能力，提高了系統(tǒng)的可靠性。
　　4. 緊湊型封裝，節(jié)省PCB空間。
　　5. 出色的熱性能，有助于提升器件的穩(wěn)定性和使用壽命。
　　6. 工作電壓高達(dá)600V，適用于多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。

該芯片廣泛應(yīng)用于各類電力電子設(shè)備中，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)關(guān)。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率級(jí)控制。
　　3. 逆變器和轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵元件。
　　4. 各類工業(yè)控制和家用電器中的功率管理模塊。
　　5. 電動(dòng)汽車充電器和其他新能源相關(guān)設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換組件。

WPE3611P2, IRF840, STP11NK60Z