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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI3446ADV-T1-GE3

SI3446ADV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 12:30:54 查看 閱讀�9

SI3446ADV-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 公司生產(chǎn)的高效能、低功耗的 SPDT (單刀雙擲) 模擬�(kāi)�(guān)芯片。該芯片適用于需要在不同信號(hào)路徑之間�(jìn)行快速切換的�(yīng)用場(chǎng)景,具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的線性度,確保信�(hào)傳輸?shù)耐暾院途�?br>  該器件支持寬范圍的工作電�,能夠在較低的電源電壓下保持高性能表現(xiàn)。此�,其�(shè)�(jì)注重低功耗特性,非常適合便攜式設(shè)備和電池供電系統(tǒng)中的�(yīng)��

參數(shù)

類型:SPDT 模擬�(kāi)�(guān)
  工作電壓范圍�1.6V � 3.6V
  �(dǎo)通電阻(Ron):2.5Ω(典型值)
  �(guān)斷隔離:-70dB(@1 MHz�
  帶寬�300MHz
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:TSSOP-16

特�

SI3446ADV-T1-GE3 的主要特�(diǎn)包括�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Ron�,確保信�(hào)傳輸�(guò)程中最小的功率損耗和失真�
  2. 高線性度和低失真性能,適合處理高保真音頻信號(hào)和其他敏感模擬信�(hào)�
  3. 支持高達(dá) 300MHz 的帶�,能夠適�(yīng)多種高頻信號(hào)切換需求�
  4. 低功耗設(shè)�(jì),使芯片在電池供電設(shè)備中具有更長(zhǎng)的使用壽命�
  5. 出色的關(guān)斷隔離能�,防止信�(hào)�?dāng)_和干擾�
  6. 小尺寸封�,便于在空間受限的設(shè)�(jì)中使用�
  7. 寬工作電壓范�,增�(qiáng)了其在不同應(yīng)用場(chǎng)景下的兼容��

�(yīng)�

SI3446ADV-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 音頻信號(hào)切換,如耳機(jī)插孔檢測(cè)與音頻路徑選��
  2. 便攜式電子設(shè)備中的信�(hào)路由,例如智能手�(jī)、平板電腦和筆記本電腦�
  3. 工業(yè)控制系統(tǒng)的信�(hào)切換�
  4. �(yī)療設(shè)備中的多路信�(hào)�(fù)��
  5. 通信�(shè)備中的射頻和中頻信號(hào)切換�
  6. 自動(dòng)�(cè)試設(shè)備中的信�(hào)分配與切換�
  7. 任何需要高性能、低功� SPDT �(kāi)�(guān)的場(chǎng)��

替代型號(hào)

SI3445ADV-T1-GM3, MAX4642AETA+T, ADG787BCPZ-REEL7

si3446adv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si3446adv-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C37 毫歐 @ 5.8A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.8V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds640pF @ 10V
  • 功率 - 最�3.2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)