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PSMN4R1-60YL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 10:19:57 查看 閱讀�18

PSMN4R1-60YL 是一� N 溝道功率場效�(yīng)晶體管(MOSFET),� NXP Semiconductors 制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于多種開�(guān)和功率管理應(yīng)�。其�(shè)�(jì)目標(biāo)是提供高效的功率�(zhuǎn)�,并支持緊湊型解決方�。PSMN4R1-60YL 采用 LFPAK56 (PowerSO8) 封裝形式,能夠滿足工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備的需��
  這種 MOSFET 在功率放大器、負(fù)載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器、電池保�(hù)電路等領(lǐng)域有廣泛�(yīng)�,因其卓越的電氣性能而備受推崇�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�37A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4.1mΩ
  柵極電荷�29nC
  總功耗:14W
  工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�
  封裝形式:LFPAK56 (PowerSO8)

特�

PSMN4R1-60YL 提供了非常低的導(dǎo)通電�,從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了能�,使得在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色,例如開�(guān)電源或電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  器件能夠在較高的溫度范圍�(nèi)�(yùn)�,確保了在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性�
  此外,其封裝形式 LFPAK56 具備良好的熱性能和電氣性能,有助于�(jìn)一步提升整體系�(tǒng)的可靠��
  此款 MOSFET 還具有較低的輸入和輸出電容,有助于減少開�(guān)過程中的能量損失并優(yōu)化動(dòng)�(tài)表現(xiàn)�

�(yīng)�

PSMN4R1-60YL 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率控制的場合�
  常見的應(yīng)用包括但不限于:
  - DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)元件
  - 開關(guān)模式電源(SMPS�
  - �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路
  - 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
  - 工業(yè)逆變器和可再生能源系�(tǒng)
  由于其出色的性能和可靠�,該器件也適合用于汽車電子領(lǐng)域,例如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向(EPS)和混合�(dòng)力汽車(HEV)系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��

替代型號

PSMN4R0-60YL
  PSMN4R6-60YL
  IRFZ44N
  FDP5500

psmn4r1-60yl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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