時間�2025/6/6 15:24:22
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CDR01BP100BKZPAT是一種高性能的功率MOSFET芯片，專為高效率和高頻開關應用設�。該器件采用先進的半導體制造工藝，具有低導通電�、快速開關速度以及出色的熱性能。其主要應用于電源管理、電機驅�、逆變器、DC-DC轉換器以及其他需要高效功率切換的場景�
CDR01BP100BKZPAT以其卓越的電氣性能和可靠性著�，能夠在高溫和高壓環(huán)境下保持�(wěn)定運�。同�，它還具備較強的抗雪崩能力，能夠承受短暫的過載情況而不損壞�
型號：CDR01BP100BKZPAT
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓（VDS）：100V
最大柵源電壓（VGS）：±20V
連續(xù)漏極電流（ID）：40A
導通電阻（RDS(on)）：1.5mΩ（典型��25°C�
柵極電荷（Qg）：80nC
輸入電容（Ciss）：3500pF
總功耗（Ptot）：160W
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
封裝形式：TO-247
1. 極低的導通電�，有助于減少功率損耗并提高整體效率�
2. 快速的開關速度，適合高頻應用環(huán)��
3. 強大的抗雪崩能力和短路耐受能力，增強了系統(tǒng)的可靠��
4. 高溫適應性，能夠在極端溫度條件下正常工作�
5. 符合RoHS標準，環(huán)保且安全�
6. 提供卓越的熱性能，支持長時間�(wěn)定運��
7. 精確的電氣參數控制，確保一致性和高質量生��
CDR01BP100BKZPAT廣泛用于以下領域�
1. 開關電源（SMPS）及AC-DC適配器�
2. 工業(yè)電機驅動和伺服系�(tǒng)�
3. 新能源領域的逆變器和光伏系統(tǒng)�
4. 汽車電子中的負載切換和電池管理系�(tǒng)（BMS��
5. DC-DC轉換器和升壓/降壓電路�
6. 其他需要高效功率控制的應用場景，如家用電器和消費類電子產品�
CDR01AP100BKZPAT, IRF840, STP16NF10L
