SI3424CDV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻、高效率和快速開(kāi)�(guān)特�,適合于高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)�、電�(jī)控制、同步整流以及電池保�(hù)等應(yīng)��
該芯片通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)提供出色的散熱性能,并且支持表面貼裝技�(shù) (SMD),便于自�(dòng)化生�(chǎn)和高效組��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�27A
�(dǎo)通電阻:2.8mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
柵極電荷�52nC(典型值)
輸入電容�1960pF(典型值)
�(kāi)�(guān)速度:快�
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝�(lèi)型:PowerPAK? 8x8
SI3424CDV-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,可�(shí)�(xiàn)高頻操作,從而減小無(wú)源元件尺寸并提高功率密度�
3. 高電流承載能�,適用于大功率應(yīng)用�
4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下仍能�(wěn)定運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. 封裝緊湊,便� PCB 布局�(shè)�(jì)和減少系�(tǒng)體積�
7. 提供�(qiáng)大的 ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)器件可靠��
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或同步整流器�
2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
3. 筆記本電腦及服務(wù)器的多相 VRM (電壓�(diào)節(jié)模塊) 解決方案�
4. 通信基站的電源管理單��
5. 各類(lèi)電池管理系統(tǒng) (BMS),如電動(dòng)汽車(chē)和儲(chǔ)能系�(tǒng)的充放電控制�
6. LED 照明�(qū)�(dòng)電路中的電流�(diào)節(jié)與開(kāi)�(guān)功能�
SI3424DGU-T1-E3, IRF3710, FDP5500NL