ELJRF5N1DFB 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的封裝工藝,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和高效率等特�。其典型�(yīng)用場景包括射頻功率放大器、無線能量傳輸系�(tǒng)以及通信基礎(chǔ)�(shè)施中的高頻信號處��
該型號屬于高效能功率�(zhuǎn)換系列,能夠顯著提升系統(tǒng)的整體性能,同時減少熱量產(chǎn)生和能源損��
類型:增強型場效�(yīng)晶體�
材料:氮化鎵 (GaN)
漏源電壓�100 V
連續(xù)漏極電流�5 A
�(dǎo)通電阻:30 mΩ
柵極電荷�15 nC
切換頻率:高� 10 GHz
封裝形式:TO-263
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
ELJRF5N1DFB 的主要特點包括:
1. 高電子遷移率:由于使用了氮化鎵技�(shù),電子遷移率極高,從而實�(xiàn)了更快的開關(guān)速度�
2. 低導(dǎo)通電阻:� 30 毫歐姆,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 超高頻運行能力:支持高達 10 GHz 的切換頻�,非常適合高頻射頻應(yīng)用�
4. 熱穩(wěn)定性強:能夠在 -40°C � +125°C 的寬溫范圍內(nèi)�(wěn)定工��
5. 高可靠性:�(jīng)過嚴格測試,確保在各種環(huán)境下的長期穩(wěn)定��
6. 小型化設(shè)計:采用 TO-263 封裝,體積緊�,便于集成到�(fù)雜電路中�
該元器件適用于以下領(lǐng)域:
1. 射頻功率放大器:用于基站、雷達系�(tǒng)和衛(wèi)星通信�(shè)��
2. 無線充電模塊:因其高效的功率�(zhuǎn)換能�,適合于大功率無線充電方案�
3. 高速數(shù)�(jù)�(zhuǎn)換器:在需要快速響�(yīng)和低延遲的數(shù)字信號處理中表現(xiàn)出色�
4. 能量收集系統(tǒng):可用于從環(huán)境能量源(如電磁波)提取電力的場��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備:提供可靠的高頻控制功能以�(yōu)化生�(chǎn)流程�
6. �(yī)療成像設(shè)備:例如超聲波發(fā)射器中的�(qū)動電�,要求高精度與快速響�(yīng)�
ELJRF5N1DFA, ELJRF5N1DFC