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ELJRF5N1DFB 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 23:51:49 查看 閱讀�11

ELJRF5N1DFB 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的封裝工藝,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和高效率等特�。其典型�(yīng)用場景包括射頻功率放大器、無線能量傳輸系�(tǒng)以及通信基礎(chǔ)�(shè)施中的高頻信號處��
  該型號屬于高效能功率�(zhuǎn)換系列,能夠顯著提升系統(tǒng)的整體性能,同時減少熱量產(chǎn)生和能源損��

參數(shù)

類型:增強型場效�(yīng)晶體�
  材料:氮化鎵 (GaN)
  漏源電壓�100 V
  連續(xù)漏極電流�5 A
  �(dǎo)通電阻:30 mΩ
  柵極電荷�15 nC
  切換頻率:高� 10 GHz
  封裝形式:TO-263
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C

特�

ELJRF5N1DFB 的主要特點包括:
  1. 高電子遷移率:由于使用了氮化鎵技�(shù),電子遷移率極高,從而實�(xiàn)了更快的開關(guān)速度�
  2. 低導(dǎo)通電阻:� 30 毫歐姆,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 超高頻運行能力:支持高達 10 GHz 的切換頻�,非常適合高頻射頻應(yīng)用�
  4. 熱穩(wěn)定性強:能夠在 -40°C � +125°C 的寬溫范圍內(nèi)�(wěn)定工��
  5. 高可靠性:�(jīng)過嚴格測試,確保在各種環(huán)境下的長期穩(wěn)定��
  6. 小型化設(shè)計:采用 TO-263 封裝,體積緊�,便于集成到�(fù)雜電路中�

�(yīng)�

該元器件適用于以下領(lǐng)域:
  1. 射頻功率放大器:用于基站、雷達系�(tǒng)和衛(wèi)星通信�(shè)��
  2. 無線充電模塊:因其高效的功率�(zhuǎn)換能�,適合于大功率無線充電方案�
  3. 高速數(shù)�(jù)�(zhuǎn)換器:在需要快速響�(yīng)和低延遲的數(shù)字信號處理中表現(xiàn)出色�
  4. 能量收集系統(tǒng):可用于從環(huán)境能量源(如電磁波)提取電力的場��
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備:提供可靠的高頻控制功能以�(yōu)化生�(chǎn)流程�
  6. �(yī)療成像設(shè)備:例如超聲波發(fā)射器中的�(qū)動電�,要求高精度與快速響�(yīng)�

替代型號

ELJRF5N1DFA, ELJRF5N1DFC

eljrf5n1dfb推薦供應(yīng)� 更多>

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