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SE10F20B36A 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 5:42:33 查看 閱讀：16

SE10F20B36A是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，適用于高效率開(kāi)關(guān)應(yīng)用和電源管理領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和良好的熱性能，廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)備中。
　　其主要特點(diǎn)在于能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換，同時(shí)保持較低的功耗和較高的可靠性。SE10F20B36A通常被用作同步整流器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及其他需要高效開(kāi)關(guān)操作的場(chǎng)合。

參數(shù)

型號(hào)：SE10F20B36A
　　類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　最大漏源電壓Vds：36V
　　最大柵源電壓Vgs：±20V
　　持續(xù)漏極電流Id：20A
　　導(dǎo)通電阻Rds(on)：1.5mΩ（在Vgs=10V時(shí)）
　　總柵極電荷Qg：40nC
　　輸入電容Ciss：1250pF
　　反向恢復(fù)時(shí)間trr：75ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃

特性

SE10F20B36A具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)能力，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　3. 較高的雪崩能力和魯棒性，可有效應(yīng)對(duì)異常工作條件下的電壓尖峰。
　　4. 小型封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省PCB空間。
　　5. 支持寬范圍的工作溫度，適應(yīng)惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全可靠。
　　這些特性使得SE10F20B36A成為眾多電源管理應(yīng)用中的理想選擇。

應(yīng)用

SE10F20B36A適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域：
　　1. 同步整流電路
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　5. 負(fù)載開(kāi)關(guān)
　　6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
　　7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
　　8. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的功率控制
　　其優(yōu)異的性能和可靠性使其能夠在各類(lèi)復(fù)雜環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行，滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

替代型號(hào)

SE10F20B36C, IRFZ44N, FDP5500

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
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