VND810MSP是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能�,適用于多種�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�。由于其出色的電氣性能和可靠�,VND810MSP在工�(yè)、汽車及消費(fèi)類電子領(lǐng)域中得到廣泛�(yīng)��
該器件的典型�(yīng)用包括DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種電源管理電路。通過(guò)�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì)與制造工�,VND810MSP能夠提供卓越的效率和熱性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�3.9A
柵極-源極電壓:�20V
�(dǎo)通電阻:0.17Ω(在Vgs=10V�(shí)�
功耗:4.3W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
VND810MSP采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造技�(shù),具備以下主要特性:
1. 高效的導(dǎo)通性能,可降低功率損��
2. 低寄生電容設(shè)�(jì),有助于提升�(kāi)�(guān)速度并減少開(kāi)�(guān)損��
3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒性�
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)�(wú)鉛焊接的要求�
5. 封裝緊湊,便于在空間受限的設(shè)�(jì)中使用�
VND810MSP適用于廣泛的電子�(yīng)用領(lǐng)�,主要包括:
1. �(kāi)�(guān)電源和穩(wěn)壓電路中的功率開(kāi)�(guān)�
2. 各種電池供電�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
3. 便攜式電子設(shè)備如智能手機(jī)和平板電腦的電源管理系統(tǒng)�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替代方��
5. 小型電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
VNQ010P, IRF530, BUZ11