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RSD200N10TL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 12:27:33 查看 閱讀�9

RSD200N10TL 是一款基于先�(jìn)� MOS 技�(shù)� N 溝道功率�(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET�,廣泛應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、逆變器等電力電子�(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,可顯著提高系�(tǒng)的整體效��
  RSD200N10TL 采用 TO-247 封裝形式,便于散熱設(shè)�(jì),同�(shí)具備較高的耐用性和可靠性。其卓越的電氣性能使其成為工業(yè)�(yīng)用中的理想選��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�200A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�3.5mΩ
  柵極電荷(Qg):160nC
  輸入電容(Ciss):4980pF
  反向傳輸電容(Crss):860pF
  總開�(guān)能量損耗(Eon+Eoff):1.2mJ
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

RSD200N10TL 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,降低開�(guān)損�,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐受性�
  4. 支持大電流連續(xù)�(yùn)�,適用于高功率密度設(shè)�(jì)�
  5. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)惡劣�(huán)境需��
  6. �(wěn)定的�(dòng)�(tài)性能和靜電防�(hù)能力,確保長(zhǎng)期可靠運(yùn)��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

RSD200N10TL 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 大功率電�(jī)�(qū)�(dòng)與控制電路�
  3. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
  4. 新能源相�(guān)�(shè)備,如太�(yáng)能逆變��
  5. 電動(dòng)汽車牽引逆變器模��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換部分�
  這些�(yīng)用均得益于其高效、穩(wěn)定及高功率處理能力的特點(diǎn)�

替代型號(hào)

RFP20N10, IRF260N, STP200N10F5

rsd200n10tl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

rsd200n10tl參數(shù)

  • 特色�(chǎn)�ECOMOS? Series MOSFETs
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C52 毫歐 @ 10A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs48.5nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2200pF @ 25V
  • 功率 - 最�20W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�CPT3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱RSD200N10TLTR