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IXFR102N30P 發(fā)布時間 時間�2023/11/28 17:20:38 查看 閱讀�220

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:PolarHT?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�36 毫歐 @ 51A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�300V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�60A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�5V @ 4mA
閘電�(Qg) @ Vgs�224nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �7500pF @ 25V
功率 - 最大:250W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:ISOPLUS247?
包裝:管�

ixfr102n30p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ixfr102n30p�(chǎn)�

ixfr102n30p參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PolarHT™ HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)300V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C60A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C36 毫歐 @ 51A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 4mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs224nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds7500pF @ 25V
  • 功率 - 最�250W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼ISOPLUS247?
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�ISOPLUS247?
  • 包裝管件