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RFP30P06 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 16:32:17 查看 閱讀�10

RFP30P06是一種N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。該器件適用于開關電�、直流電機驅動、逆變器以及負載切換等應用場合。它具有低導通電阻和快速開關特性,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  該型號的額定電壓�60V,額定電流為30A,廣泛應用于工業(yè)控制、消費電子及汽車電子等領��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  導通電阻(典型值)�8mΩ
  柵極電荷�14nC
  開關時間(典型值):開通延遲時�57ns,關斷下降時�28ns
  工作結溫范圍�-55℃至175�

特�

RFP30P06具備較低的導通電�,可減少導通損�,并且其快速的開關性能有助于提升整體效率。此�,器件具有較高的雪崩能量承受能力,增強了在異常條件下的可靠性�
  由于采用了先進的制造工�,該MOSFET能夠在高頻條件下保持高效運行,同時支持表面貼裝與通孔安裝兩種方式,便于不同設計需求的應用場景�
  RFP30P06還具備良好的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能維持�(wěn)定的電氣性能,這使得它特別適合于需要高可靠性的工業(yè)和汽車應用中�

應用

該器件通常被用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS�
  2. 直流電機控制
  3. 電池保護電路
  4. 負載開關
  5. 汽車電子中的繼電器替�
  6. 各類功率轉換電路
  憑借其出色的電氣特性和可靠�,RFP30P06成為許多高功率密度設計的理想選擇�

替代型號

IRFZ44N
  STP30NF06
  FDP30N06L

rfp30p06推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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rfp30p06參數(shù)

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶體管極�P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓- 60 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流30 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)0.065 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 175 C
  • 安裝風格Through Hole
  • 封裝 / 箱體TO-220AB
  • 下降時間18 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散135 W
  • 上升時間23 ns
  • 典型關閉延遲時間28 ns