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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1812A681FXBAT31G

GA1812A681FXBAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 11:55:11 查看 閱讀�14

GA1812A681FXBAT31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高性能功率放大器模�,主要用于無(wú)線通信和雷�(dá)系統(tǒng)中的高頻信號(hào)放大。該器件采用了先�(jìn)� GaN HEMT 工藝制�,具備高效率、寬帶寬和高輸出功率的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的性能表現(xiàn)�
  該型�(hào)集成了匹配網(wǎng)�(luò)和其他關(guān)鍵電路組�,使得其易于�(shè)�(jì)到各類射頻系�(tǒng)�。同�(shí),它在高頻工作環(huán)境下依然保持�(wěn)定的性能,適用于要求苛刻的商�(yè)及軍事應(yīng)用領(lǐng)域�

參數(shù)

頻率范圍:DC � 18GHz
  飽和輸出功率�40dBm
  增益�15dB(典型值)
  電源電壓�28V
  靜態(tài)電流�1.2A(典型值)
  輸入駐波比(VSWR):<2.0:1
  輸出駐波比(VSWR):<2.0:1
  封裝形式:氣密封�
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C

特�

1. 基于氮化� (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 技�(shù),確保卓越的高頻性能和高效率�
  2. 頻率范圍�,覆� DC � 18GHz,適合多種高頻應(yīng)用需��
  3. 輸出功率高達(dá) 40dBm,同�(shí)保持良好的線性度和效��
  4. �(nèi)置匹配網(wǎng)�(luò),簡(jiǎn)化了外部�(shè)�(jì)并減少了外圍元件的需求�
  5. 具有高可靠性和�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下正常運(yùn)��
  6. 封裝采用氣密�(shè)�(jì),增�(qiáng)�(duì)惡劣�(huán)境的防護(hù)能力�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各種射頻和微波系�(tǒng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 軍用雷達(dá)和電子對(duì)抗系�(tǒng)�
  2. 5G 和其他無(wú)線通信基礎(chǔ)�(shè)施設(shè)��
  3. �(wèi)星通信和地面站�(shè)��
  4. �(cè)試與�(cè)�?jī)x�,例如頻譜分析儀和信�(hào)�(fā)生器�
  5. �(yī)療成像設(shè)備和工業(yè)微波加熱裝置�

替代型號(hào)

GA1812A681FXBAT32G
  GA1812A681FXBAT33G
  GA1812A681FXBAT34G

ga1812a681fxbat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-