GA1812A681FXBAT31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高性能功率放大器模�,主要用于無(wú)線通信和雷�(dá)系統(tǒng)中的高頻信號(hào)放大。該器件采用了先�(jìn)� GaN HEMT 工藝制�,具備高效率、寬帶寬和高輸出功率的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的性能表現(xiàn)�
該型�(hào)集成了匹配網(wǎng)�(luò)和其他關(guān)鍵電路組�,使得其易于�(shè)�(jì)到各類射頻系�(tǒng)�。同�(shí),它在高頻工作環(huán)境下依然保持�(wěn)定的性能,適用于要求苛刻的商�(yè)及軍事應(yīng)用領(lǐng)域�
頻率范圍:DC � 18GHz
飽和輸出功率�40dBm
增益�15dB(典型值)
電源電壓�28V
靜態(tài)電流�1.2A(典型值)
輸入駐波比(VSWR):<2.0:1
輸出駐波比(VSWR):<2.0:1
封裝形式:氣密封�
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
1. 基于氮化� (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 技�(shù),確保卓越的高頻性能和高效率�
2. 頻率范圍�,覆� DC � 18GHz,適合多種高頻應(yīng)用需��
3. 輸出功率高達(dá) 40dBm,同�(shí)保持良好的線性度和效��
4. �(nèi)置匹配網(wǎng)�(luò),簡(jiǎn)化了外部�(shè)�(jì)并減少了外圍元件的需求�
5. 具有高可靠性和�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下正常運(yùn)��
6. 封裝采用氣密�(shè)�(jì),增�(qiáng)�(duì)惡劣�(huán)境的防護(hù)能力�
該芯片廣泛應(yīng)用于各種射頻和微波系�(tǒng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 軍用雷達(dá)和電子對(duì)抗系�(tǒng)�
2. 5G 和其他無(wú)線通信基礎(chǔ)�(shè)施設(shè)��
3. �(wèi)星通信和地面站�(shè)��
4. �(cè)試與�(cè)�?jī)x�,例如頻譜分析儀和信�(hào)�(fā)生器�
5. �(yī)療成像設(shè)備和工業(yè)微波加熱裝置�
GA1812A681FXBAT32G
GA1812A681FXBAT33G
GA1812A681FXBAT34G