FH20X103K302EGG 是一款由富士通(Fujitsu)生產(chǎn)的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM),即非易失性存儲(chǔ)器的一種。該芯片結(jié)合了傳統(tǒng) RAM 的高速讀寫性能和閃存的非易失性特性,能夠在斷電后保存數(shù)據(jù)。
FeRAM 技術(shù)使用鐵電材料作為電容器的介質(zhì)層,從而實(shí)現(xiàn)低功耗、高速度和高耐久性的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。FH20X103K302EGG 通常被應(yīng)用于需要頻繁數(shù)據(jù)寫入且對(duì)數(shù)據(jù)保留有較高要求的場(chǎng)景。
容量:256Kb (32K x 8)
接口類型:SPI
工作電壓:1.7V 至 3.6V
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
封裝形式:WLCSP (晶圓級(jí)芯片尺寸封裝)
引腳數(shù):8
數(shù)據(jù)保留時(shí)間:超過(guò)10年
擦寫周期:超過(guò)10^12 次
FH20X103K302EGG 具備以下主要特性:
1. 非易失性:即使在斷電情況下也能保持?jǐn)?shù)據(jù)完整。
2. 超低功耗:相較于 EEPROM 和閃存,其寫入操作所需的能量顯著減少。
3. 高速讀寫:支持高達(dá) 20MHz 的 SPI 接口時(shí)鐘頻率,確�?焖贁�(shù)據(jù)傳輸。
4. 極高的耐用性:可承受超過(guò)一萬(wàn)億次的擦寫周期,非常適合頻繁數(shù)據(jù)更新的應(yīng)用場(chǎng)景。
5. 小型化封裝:采用 WLCSP 封裝技術(shù),適合空間受限的設(shè)計(jì)需求。
6. 寬工作電壓范圍:支持從 1.7V 到 3.6V 的寬電壓范圍,提升了應(yīng)用靈活性。
7. 環(huán)保材料:符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),不含鉛等有害物質(zhì)。
FH20X103K302EGG 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的數(shù)據(jù)記錄與配置存儲(chǔ)。
2. 醫(yī)療設(shè)備中關(guān)鍵參數(shù)的實(shí)時(shí)保存。
3. 物聯(lián)網(wǎng)終端的數(shù)據(jù)緩存與日志記錄。
4. 消費(fèi)電子產(chǎn)品的固件升級(jí)與用戶偏好設(shè)置存儲(chǔ)。
5. 計(jì)量?jī)x表中用于累積數(shù)據(jù)的持久存儲(chǔ)。
6. 汽車電子系統(tǒng)中傳感器數(shù)據(jù)的臨時(shí)或永久保存。
MB85RS2MT-SQE, FM25L16B-BNE, CAT24C02-GJ