QEB363ZR是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件主要�(yīng)用于高效率開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)采用了先�(jìn)的制造工藝,從而實(shí)�(xiàn)了卓越的電氣性能和可靠��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷�45nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=75ns, toff=55ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
QEB363ZR具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高擊穿電壓:能夠承受高達(dá)650V的漏源電壓,適合高壓�(yīng)用環(huán)��
2. 超低�(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,導(dǎo)通電阻僅�0.18Ω,從而減少了功率損耗并提高了系�(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)能力:極低的柵極電荷和優(yōu)化的�(kāi)�(guān)�(shí)間使其非常適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在寬溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,確保了惡劣�(huán)境下的可靠��
5. 小封裝尺寸:采用行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的TO-220封裝,便于安裝和散熱�(shè)�(jì)�
QEB363ZR廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源:如適配器、充電器��
2. 電機(jī)控制:用于無(wú)刷直流電�(jī)和其他類型電�(jī)的驅(qū)�(dòng)電路�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器:包括升�、降壓以及升降壓�(zhuǎn)換器�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:例如伺服�(qū)�(dòng)�、逆變器和不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
5. 汽車電子:適用于車載充電系統(tǒng)及電�(dòng)助力�(zhuǎn)向等�(yīng)��
IRFZ44N
STP12NK60Z
FDP5570
IXFN12N65B