NJG1655ME7-TE1 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開�(guān)特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和開關(guān)電路等領(lǐng)�。其封裝形式� TO-263-3,適合高電流和高效率的應(yīng)用場景�
� MOSFET 的設(shè)計使其能夠在高頻工作條件下保持高效性能,并且具備良好的熱穩(wěn)定性。同�,它還支持多種保護功�,例如過流保護和短路保護,從而增強了系統(tǒng)的可靠性�
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�39nC
總電容:1140pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
NJG1655ME7-TE1 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(3.5mΩ�,可有效降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)特�,適用于高頻�(yīng)用環(huán)��
3. 支持大電流操作(18A 連續(xù)漏極電流�,能夠滿足高功率需��
4. 寬泛的工作溫度范圍(-55� � +150℃),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
5. 封裝形式� TO-263-3,便于散熱設(shè)計和安裝�
6. �(nèi)置多重保護機�,確保長期穩(wěn)定運��
這款 MOSFET 主要用于以下�(lǐng)域:
1.主開�(guān)管或同步整流��
2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率控制組件�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理與配電控��
6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和低損耗的場景�
IRFZ44N
STP18NF06L
FDP18N06