SMUN5235DW1T1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率晶體管,由 Texas Instruments 提供。該器件采用� GaN FET �(jié)�(gòu),具有高開關(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和高效的性能特點(diǎn)。其�(shè)�(jì)主要針對(duì)高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器、電信電源、服�(wù)器電源以及工�(yè)�(yīng)用中的高效能電力�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
SMUN5235DW1T1G 的封裝形式為 WSON-8 封裝,支持更高的功率密度和更小的解決方案尺寸,非常適合需要高效率和快速開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景�
額定電壓�600V
連續(xù)漏極電流�4.3A
�(dǎo)通電阻:55mΩ
柵極電荷�19nC
開關(guān)頻率:最高可�(dá)�(shù)MHz
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝類型:WSON-8
SMUN5235DW1T1G 具有卓越的電氣性能和熱性能,其主要特性包括:
1. 高效的氮化鎵技�(shù),顯著降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損��
2. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 55mΩ,有助于提高整體系統(tǒng)效率�
3. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用,減少磁性元件的體積和重��
4. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)系統(tǒng)的可靠��
5. 支持寬禁帶半�(dǎo)體技�(shù),具備更好的熱穩(wěn)定性和耐高溫能力�
6. 小型化的 WSON-8 封裝,簡(jiǎn)� PCB 布局并優(yōu)化散熱性能�
SMUN5235DW1T1G 廣泛�(yīng)用于�(duì)效率和:
1. �(shù)�(jù)中心和通信�(shè)備中的高� DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 筆記本電腦和移動(dòng)�(shè)備的快充適配��
3. 電信基站的電源模塊�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和可再生能源逆變��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的 DC-DC �(zhuǎn)換器和其他高效率電力�(zhuǎn)換應(yīng)用�
LMG3411R030
TPS25987D
GaN Systems GS66518B