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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > PL140N03T2

PL140N03T2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 22:13:29 查看 閱讀�20

PL140N03T2是一款基于MOSFET技�(shù)的N溝道功率�(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能,適用于多種電力電子�(yīng)用領(lǐng)�。它通常用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)景。PL140N03T2采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,能夠在高頻條件下保持較低的功耗,并具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�140A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�70nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=18ns, toff=25ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:D2PAK(TO-263�

特�

PL140N03T2的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅�1.5mΩ,這使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。同�(shí),該器件的柵極電荷較�,有助于降低�(kāi)�(guān)損�,提升效�。此�,其快速的�(kāi)�(guān)�(shí)間和寬泛的工作溫度范圍�(jìn)一步增�(qiáng)了其在惡劣環(huán)境下的適用性�
  該器件還具備較高的雪崩擊穿能量(EAS)能�,能夠承受短暫的�(guò)載條件而不�(huì)損壞。其D2PAK封裝形式不僅提供了良好的散熱性能,還能簡(jiǎn)化電路板布局�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

PL140N03T2廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和高電流處理能力的�(chǎng)景,例如�
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開(kāi)�(guān)�
  2. 電動(dòng)車輛(EV/HEV)中的電池管理系�(tǒng)(BMS)和電機(jī)控制��
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和逆變器�
  4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)�
  5. 高性能音頻放大器和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率輸出級(jí)�

替代型號(hào)

IRL3803, FDP140AN, STP140N03LC

pl140n03t2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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